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开关电源MOS管10N50栅极为什么要串一个十几的电阻?示波器怎么测量...
1、示波器里量测电阻前后对地波形，可以看到电阻前的PWM比后面的要直。
2、缓冲电阻，针对栅极控制信号的。根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择，一般在7欧到100欧之间。一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值。
3、减小输出电压尖峰，从而防止MOS管被烧坏。满意请采纳。
沟道掺杂浓度、随机陷阱浓度、控制栅极长度、沟道长度的增加对阈值电...
MOS管的阈值电压等于背栅（backgate）和源极（source）接在一起时形成沟道（channel）需要的栅极（gate）对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。
通道长度调制效应：通道长度调制效应是指在MOSFET通道长度较小的情况下，由于电场效应的影响，通道中的电子浓度会受到影响，从而导致阈值电压的变化。当通道长度减小时，电子浓度的变化会导致阈值电压的变化。
MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
对于以多晶硅为栅极的器件，器件的阈值电压因多晶硅的掺杂类型以及掺杂浓度而发生变化。可见，在正常条件下，很容易得到增强型PMOS管。为了制得增强型NMOS管，则需注意减少Qss、Qox，增加QB。
为什么mos管栅极和D极之间要加反馈
mos管栅极和D极之间要加反馈，原因如下：为mos提供一个供电，经过电阻分压从而得到分压值，也即所谓的提供一个偏置电压；起到防ESD静电的作用，避免处在一个高阻态。
结型场效应管需要加反向电压使两边的pn结的耗尽层变宽从而改变导电沟道的宽度使其介于预夹断与夹断之间的区域，即恒流区。
其中金属栅极是控制电路的关键，它被放置在氧化物层上面，与半导体基底隔开。当栅极施加电压时，会在氧化物层和半导体基底之间形成一个电场，这个电场会影响半导体中的载流子浓度，从而控制电路的电流。
三极管损耗大。mos管常用来电源开关，以及大电流本地开关电路。三极管比照廉价，用起来便当，常用在数字电路开关操控。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极操控电流比照活络的本地。
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
MOS管的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。
电路版图sp和sn是什么层次
模拟版图sp是直流正极SN是直流负极。根据查询相关平台信息了解到，SN表示N+implantarea，定义N管区域或连接N阱。SP表示P+implantarea，定义P管区域或连接P衬底。
电路图中SP代表接近开关。当物体接近开关的感应面到动作距离时，不需要机械接触及施加任何压力即可使开关动作，从而驱动直流电器或给计算机（plc)装置提供控制指令。
sn在电路中代表变压器的额定容量。变压器额定容量是指主分接下视在功率的惯用值。在变压器铭牌上规定的容量就是额定容量，它是指分接开关位于主分接，是额定满载电压、额定电流与相应的相系数的乘积。
该意思是指通过电位器的模拟开关通道采样的正极信号。在单片机应用中，SP+通常用于描述对传感器或可变电阻等设备的数值读取。SP+的应用场景主要是在电路板中，特别是在单片机应用中。
阈值电压和掺杂浓度的关系(阈值电压)
简单的来说，阈值电压的意义是给栅极加电压后，使沟道感应出足够浓度的电子所需的电压（以N沟道增强型MOS为例）。
所以，衬底掺杂浓度是一个重要的参数，衬底掺杂浓度越低，器件的阈值电压数值将越小，反之则阈值电压值越高。对于一个成熟稳定的工艺和器件基本结构，器件阈值电压的调整，主要通过改变衬底掺杂浓度或衬底表面掺杂浓度进行。
掺杂元素。掺杂元素如氮（N）或铝（Al）等，可以用来改变阈值电压。这些元素的掺杂浓度大小直接影响器件的阈值电压。当掺杂浓度较低时，阈值电压较高。
小伙伴们，上文介绍栅极为什么要重掺杂的内容，你了解清楚吗？希望对你有所帮助，任何问题可以给我留言，让我们下期再见吧。
