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intel为什么还是七纳米
这么一改，10nm就变成了Intel7，7nm就变成了Intel4，这似乎是完全放弃了当下的纳米制程叫法。不过，虽然被命名为7，但其实仍是10nm的强化版，Intel这么做的最大目的大概是听起来会觉得制程很强劲。
跑分低。12700h鲁大师跑分低，不用过度纠结跑分，主要是使用感受，12700H是一款H45处理器，具有六个性能内核和八个效率内核(14C/20T)，属于我们现在所知的AlderLake-P系列。
采用7纳米工艺的原因是7纳米工艺制造的芯片体积更小、功耗更低、发热更少、性能更好。在芯片设计和制造中7纳米工艺的芯片容纳的晶体管的数量，几乎是14纳米工艺芯片的2倍。
其实最大的性能区别，在于中杆的外径上。纳米7属于比较传统的中杆，大概是7mm的外径，7纳米工艺芯片比14纳米工艺芯片省电。
处理器 就是 7纳米工艺，性价比很高，虽然Intel有一定的技术储备，但锐龙三代 还是会给Intel造成很大的压力，不过Intel 现在正在发力，今年 10纳米的 移动处理器 会发布，明年 10纳米的 桌面处理器 也会出来。
现在手机7纳米工艺都烂大街了,为什么电脑的CPU和显卡还是14纳米的?
因为前几年酷睿技术出来以后，Intel 的电脑芯片优势 太强，没有竞争对手，每次都是挤牙膏似的提升CPU性能 虽然同在14nm中 intel是最好的 但是对手已经开始向7nm发力了 intel的10nm还没成熟。
两种相比较而言14纳米的好一些。纳米是指CPU或GPU的制造过程，或晶体管栅极电路的尺寸，单位为纳米。14纳米和22纳米之间的区别如下：区别一：不同的制造工艺。制造工艺，代度表集成电路规模。
是指制造芯片时晶体管门电路的尺寸为14纳米。
纳米的意思是制造工艺指制造CPU或GPU的制程，或指晶体管门电路的尺寸，单位为纳米（nm)。14纳米跟22纳米的区别：制造工艺不同 制造工艺，代表集成电路规模。
它所能够运行的所谓3D游戏大作。在电脑上面的3a大作面前，根本不值一提。处理能力方面是被电脑完虐的。手机唯一的优势是方便携带。方便的支付手段，兼顾摄影拍照功能。所以设计大也好，设计小也罢，是他们各有各的用处。
弃用“纳米”英特尔的“埃米时代”即将开启
埃米为晶体学、原子物理等常用的长度单位，是纳米（nm）的十分之一。自Intel 20A起，标志着英特尔将开启半导体的埃米时代，工程师将在原子水平上制造器件和材料。在 Intel 20A 制程工艺技术上，英特尔将会与高通进行合作。
Intel 20A： PowerVia和RibbonFET这两项突破性技术正式开启了埃米时代，Intel 20A预计将在2024年推出。所谓Intel 20A中的“A”代指埃米，1埃米Angstrom =10^-10，1纳米=10埃米。
为什么英特尔7nm处理器不是最佳选择?
首先第一点就是7nm工艺这是近几年才普及的一项技术，这项技术比我们在手机上所体验到的芯片7nm技术还要更加的困难，毕竟电子晶体导管越来越小，所能够承载的运行速度也越来越快。
根据TrendForce集邦咨询的报告，受英特尔7nm良率欠佳影响，新品SapphireRapids大规模量产时程推迟，预计目前SapphireRapids生产良率仅50%-60%，冲击主力产品SapphireRapidsMCC，量产计划从今年第四季度推迟至2023年上半年。
但事实上，Intel10nm晶体管的指标其实已经达到了台积电7nm的水平。或许是意识到自家工艺命名很容易造成大众歧义。今天凌晨，Intel除了展示了芯片工艺和封装进展，还公布了全新的CPU工艺路线图，并重新更改了工艺命名。
i38100处理器怎么样?
1、i3 8100处理器是一款适合办公及多媒体娱乐的CPU，因此日常使用中无论是打字、办公、浏览网页还是看电影，都可以满足需求。
2、处理器在本次推荐第一位，与上代i3产品不同的是使用了4物理核心和4线程，主频达到了6 GHz，性能提升非常明显。
3、I38100新一代酷睿I3处理器，桌面CPU采用14nm工艺，四核四线程36Ghz 国际象棋跑分实测比8代I78550U还要高，沉溺于游戏流畅无比，将带给你不一样的游戏体验说到散热这款机器采用了全新改良过的散热系统，双风扇三铜管。
4、它在多核性能上相较于上一代处理器有了明显的提升。对于日常办公、网页浏览和多媒体消费等任务，i38100能够提供流畅的使用体验。同时，它也适用于一些较为轻量的游戏，如电竞类游戏、角色扮演游戏等。
为什么说7nm是半导体工艺的极限,但现在又被突破了
现在的CPU内集成了以亿为单位的晶体管，这种晶体管由源极、漏极和位于他们之间的栅极所组成，电流从源极流入漏极，栅极则起到控制电流通断的作用。
因为以当时的工艺水平和材料水准就只能造出7纳米的硅基芯片，不过现在人们已经制造出了更为高级的芯片制造设备，也发现了更适合的硅基材料，二者相互叠加之后，突破原本的硅基芯片七纳米极限也是可以理解的事情。
所以当工艺制程突破物理极限之后，再想寻求新的制造技术就不能单纯的从减小栅长上做文章了，毕竟已经小到了7nm，再加入各种其他辅助装置减少漏电问题也会得不偿失。
其实对于中国本土的晶圆工艺来说，3D封装也是正确的方向， 由于中国大陆在先进光刻机采购问题上存在短板，导致芯片性能存在一定程度不足。
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