好久不见，今天给各位带来的是pmos为什么关不断，文章中也会对pmos开关条件进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧！
mos关断时间跟什么有关
1、如果输出端还接有电容就不奇怪，因为电容放电需要时间。时间长短与取决与并联于电容两端的阻抗。
2、你是说RCD的吸收电容吧。电容偏大，电容端电压上升很慢，因此导致mos 管电压上升较慢，导致mos管关断至次级导通的间隔时间过长，变压器能量传递过程较慢，相当一部分初级励磁电感能量消耗在RC电路上。
3、一般说开关时间指截止到饱和导通互相转换的时间，BJT因为载流子的问题，无法快速截止，就是从饱和导通到截止的时间过长。
4、电容越大、电阻越小吸收越好、尖峰越小，同时也会引起效率下降。峰峰值和过电压的尖峰不是一回事。
Pmos管开关电路?
1、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
2、MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
3、mos管的开关电路原理MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。
PMOS无法关断
，R1，R2的阻值应该对调，因为是采用电压控制的PMOS管，阻值可以适当加大，减少功耗，如R1：10K，R2：200K，而且这样还有一个好处，大幅的减轻Q11的负载，也减轻了单片机I/O口的输出电流要求。
你的H桥是P-Nmos管组合的那种吧，保证栅源电压小于20V可以在栅源之间并上一个稳压二极管来钳制栅源电压。
不是没关断，没关断的话电压就不至2V了。电子开关和继电器之类的开关不一样，不能物理切断，管子关断的时候都有漏电流，加在100K电阻上肯定会有压降的，带实际负载或着把电阻换小就没问题了。
方法如下：若在方块位置断开则不会截止。若在圆圈位置断开仍无法关断，可尝试短路G和S，看能否关断。仍无法关断，检查MOS管D和S是否接反。若都不可，确认型号是不是NMOS。
MOS管不能完全关断,是什么原因
当A点为低电平时，B点能得到5V电压；而当A点为高电平时，漏极并没有完全关断，B点还有8V。如果不连外部模块，B点是可以得到0V的。
不是没关断，没关断的话电压就不至2V了。电子开关和继电器之类的开关不一样，不能物理切断，管子关断的时候都有漏电流，加在100K电阻上肯定会有压降的，带实际负载或着把电阻换小就没问题了。
一旦其上积累电荷短时是无法泄放掉的，只要电荷在电场就在，那么场引发的沟道效应就能维持，要想关断就必须将GS短接让G极电荷泄放掉。
，R1，R2的阻值应该对调，因为是采用电压控制的PMOS管，阻值可以适当加大，减少功耗，如R1：10K，R2：200K，而且这样还有一个好处，大幅的减轻Q11的负载，也减轻了单片机I/O口的输出电流要求。
MOS管的完全关断很不容易，你这样肯定不行，形式上关断后，漏电流足够点亮LED了。如果想比较好的关断，需要用到负电压。
可能是MOS管未能彻底关断所致，可检查Q3是否未能完全截止或存在漏电现象，可把R11改小些把R10增大些。
求教一个半导体集成电路有关的问题,如下
1、之所以产生衬偏，是由于衬底往往统一接最高或者最低电位而电路中MOS管的源和漏不一定接最高或者最低电位。为了抑制衬偏，一般都是把衬底和源端接在一起，这样衬偏电压VSB=0.当然衬偏并不是一个坏现象，有时甚至是好的。
2、在选用进口半导体器件时，应该仔细查阅有关资料，比较性能指标。2 二极管 按照结构工艺不同，半导体二极管可以分为点接触型和面接触型。
3、集成电路、或称微电路、 微芯片、芯片（在电子学中是一种把电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜集成电路。
4、这一点称之为半导体的可掺杂特性。前面说过，集成电路的基础是晶体管，发明了晶体管才有可能创造出集成电路，而晶体管的基础则是半导体，因此半导体也是集成电路的基础。半导体之于集成电路，如同土地之于城市。
5、稳压IC：通常是通过电路设计，版图设计之后通过集成电路工艺进行加工产生的具有稳压功能的场效应集成电路。可控硅：是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。
小伙伴们，上文介绍pmos为什么关不断的内容，你了解清楚吗？希望对你有所帮助，任何问题可以给我留言，让我们下期再见吧。
