哈喽!相信很多朋友都对mosfet为什么不能高电压不太了解吧,所以小编今天就进行详细解释,还有几点拓展内容,希望能给你一定的启发,让我们现在开始吧!
为什么有3.3V这个电压等级?
电子电路中的电压很多,常见有12v 9v 6v 5v 3V,根据负载要求而定,负载功率大,电压等级就高,要低功耗,就 要用低电压,电压低的只有5v,高者可达24V甚至48v。数字电路常见的是5V和3V两种。
V和380V电压的唯一区别就是电压等级不同。220V电压指的是火线与零线之间的电压,是目前我国居民最常用的标准电压的有效值,而380V电压指的是火线与火线之间的电压。
这个是在GB/T 156-2007标准电压中规定的。系统标称电压3(3),6,10,35,66,110,220KV。之所以要规定系统标称电压是为了统一用电的电压等级。35kV应该来说还是用得比较多。
电器电压也是一样。当电器功率很小时,可以采用低的电压(获取更方便更安全)但功率很大时,就必须提高电压!供电采用220V/380V 这与最初建立供电区域决策有关。而一旦形成一定范围就不能再改变了。
mos管的最大持续电流是如何确定的?
MOS管电流的大小是可以通过控制正极电压和负极电压来实现的。由于MOS管本身具有高阻抗的特点,因此在其工作中需要外加一定的电压才能使其导通。一般而言, MOS管的电流可以通过调节其控制电压或增加其负载电阻等手段来实现。
没提到VDS的要求,最大的如VISHAY的:SI2333CDS :最大可以-1A,在VGS -0.45V;SI2377EDS 可以到-4A。
Ig:MOS栅极驱动电流;Vb:稳态栅极驱动电压;第三种:以IR的IRF640为例,看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。
MOSFETS饱和时候的漏极电流公式:I=(1/2)UnCox(W/L)*(Vgs-Vth)式中:Un:为电子的迁移速率。Cox:为单位面积栅氧化层电容。W/L:氧化层宽长比。Vgs-Vth:为过驱动电压。
非也!电流能力不是简单的取决于MOS管的个数,而是单个MOS管的最大电流的能力,多数情况下MOS管的体积越大,最大电流能力越强。
描述有误,如果mos管和电感都是30A的,那么最大电流就是30A,问题是整流二极管只有20A,那么二极管就限制了最大电流,就像你的发动机能输出500N的扭矩,但是你的传动轴只能承受100N的扭矩,所以说各元件的协调是很重要的。
小伙伴们,上文介绍mosfet为什么不能高电压的内容,你了解清楚吗?希望对你有所帮助,任何问题可以给我留言,让我们下期再见吧。