哈喽！相信很多朋友都对mosfet为什么适合并联不太了解吧，所以小编今天就进行详细解释，还有几点拓展内容，希望能给你一定的启发，让我们现在开始吧！
与GTR相比,功率MOSFET易于并联运行,为什么?
因为功率场效应晶体管的电流温度系数为负，则当并联使用时，如果其中某个晶体管的电流较大、发热厉害，那么该晶体管就会自动地抑制住其电流的增加，从而可避免损害。
的回答完全正确。因为功率MOSFET的电流具有负的温度系数，则当把许多MOSFET并联起来之后，一旦其中有某一个MOSFET管的电流增大时，就会引起温度升高，使得该MOSFET的电流又降低下来，即具有自限流效应，所以不会导致整个器件损坏。
你好！MOSFET有自限流效应（类似于一种过流保护），在并联情况下，会自动分配电流。而GTR一旦过流，则很容易发生热击穿（Ic过大，温度上升，Ube变小，基极电流增大，Ic增大，循环往复后发生热击穿）。如有疑问，请追问。
GTR是双极型器件，电流的温度系数为正，因此并联起来之后就容易发生热-电击穿。
多个同参数MOSFET可以并联使用，通过其正的温度系数，多管之间可以实现自动均流效果，而GTR不具备这个能力。
即是在大功率范围应用的场效应晶体管，它也称作功率MOSFET，其优点表现在以下几个方面： 具有较高的开关速度。 具有较宽的安全工作区而不会产生热点，并且具有正的电阻温度系数，因此适合进行并联使用。
功率场效应晶体管的优点
具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
【答案】：场效应管和晶体三极管都是半导体放大器件，其优点是体积小、重量轻、耗电省、可靠性高、便于集成等。但存在以下不同：(1)场效应管利用多子导电，称为单极型晶体管，温度性能较好，并具有零温度系数工作点。
具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
功率场效应管与双极型功率晶体管之间的特性比较如下： 驱动方式：场效应管是电压驱动，电路设计比较简单，驱动功率小；功率晶体管是电流驱动，设计较复杂，驱动条件选择困难，驱动条件会影响开关速度。
Mosfet栅源极并联电容电阻是什么作用
1、MOS管栅极上串个小电阻的主要作用是：改变管子栅极输入控制脉冲的前后沿陡度，以及防止寄生电容和电感形成的振荡，减小输出电压尖峰，从而防止MOS管被烧坏。满意请采纳。
2、举例说明： 极间电容： Power MOSFET的3个极之间分别存在极间电容CGS，CGD，CDS。通常生产厂家提供的是漏源极断路时的输入电容CiSS、共源极输出电容CoSS、反向转移电容CrSS。
3、这是用来起阻尼作用的！对MOS起保护作用！同时还有均压的作用，可以保证串联的管子的工作电压。
4、mos工作于开关状态，关断时初级绕组会产生非常高的反峰，用过这个设计把反峰拉下来，防止mos击穿。
MOSFET门极并联的电阻有什么用
电阻是起限流的作用。二极管是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。
这个电阻的作用是提高可靠性。半导体器件处于截止状态时，并非断路，实际上是高阻态。如果器件连通电源，就会有漏电流通过。虽然漏电流常常可以忽略，但有时忽略它却可能导致不安全。以此图为例。
MOS管的输入电阻很高，使得其输入信号源驱动能力强，可以连接更多的负载。MOS管的输入电阻很高，可以减少输入信号源的电流消耗，降低功耗。MOS管的输入电阻很高，可以减少外部元器件的干扰，提高电路的抗干扰能力。
mos管并联一般都是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。
两个MOS管并联使用的作用是为增大输出电流，一般用在功放的末级电流不够时才用此电路。
并联电阻可以减小每个电阻的承受功率。比如，某个二端网络的输出在接50欧负载时能输出5V的电压。功率就是0.5瓦，如果只有1/8的电阻，你就可以用四个200欧的并联。
常用的电力MOSFET有哪些?
1、MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）：MOSFET是一种常用的功率开关器件，具有开关速度快、损耗小、可靠性高等优点。在电动汽车变流器中，MOSFET常用于直流母线的开关控制。
2、电力场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）。常说的MOSFET就属于这一类，即绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor FET，MOSFET），为了与一般MOSFET相区别，也称为电力MOSFET（Power MOSFET）。
3、常见产品有Power Mosfet（场效应晶体管）、SIT（静电感应晶体管）。前者为电压控制器件，具有驱动功率小、工作速度高、无二次击穿问题、安全工作区宽等优点。后者是三层结构的多数载流子器件。
4、MOSFET广泛应用于开关电源、电机控制、汽车电子等领域。其次，IGBT也是一种电压驱动型电力电子器件。与MOSFET相比，IGBT具有更高的耐压和耐流能力，适用于大功率应用场景。
5、电力mosfet不具备静态特性这句话是错误的。
各位小伙伴们，我刚刚为大家分享了有关mosfet为什么适合并联的知识，希望对你们有所帮助。如果您还有其他相关问题需要解决，欢迎随时提出哦！
