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温度升高导致三极管参数发生?变化。
温度升高,三极管的导通电压下降、β值增大、ICBO增大、温度每升高1℃,导通电压约减小2~5mV,β值约增大0.5%~1%,温度每升高10℃,ICBO约增大一倍。
直流放大倍数hfe增大;穿透电流Iceo增大。你可以实验一下:将三极管插入HFE插座,然后用手指捏住三极管,这时显示数字会逐渐加大。
温度升高,晶体三极管的β增大,门限电压UBEO(对于PNP管为UEBO)减小,ICBO急剧增大。
三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.5~1%,其结果是在相同的IB情况下,集电极电流IC随温度上升而增大。
放大倍数变化:温度上升会导致三极管的参数发生变化,如电流增加,导致放大倍数发生变化,从而影响放大器的增益稳定性。温度漂移:三极管的温度变化会影响其内部电阻和电容的数值,进而影响电路的频率响应和稳定性。
温度升高,引起三极管的穿透电流增大(IC增大),从而引起三极管Vce降低.集电极电流中包括一小部分穿透电流。穿透电流的大小与管子本身有关,还与管子温度有关,温度升高则变大。
温敏三极管的基本原理
1、晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。
2、总之,三极管的原理主要基于PN结的半导体工艺,通过控制基极电流的大小来调节发射极和集电极之间的电流变化,具有放大、开关和稳压等多种应用。
3、三极管的作用之三就是扩流作用,在某些情况下,可扩大电流限值或电容容量等。比如:将小功率可控矽与大功率三级管相结合,可以得到大功率可控矽,扩大了最大输出电流值;在长延时电路中,三极管可完成扩大电容容量的作用。
4、三极管工作原理:通过输入小的交流电,控制大的静态直流电。具体原理:三极管可以不断地监视,流过基极与发射极之间的电流,并可以控制集电极-发射极间电流源,使十到数百倍的基极到发射极间的电流,在集电极与发射极之间流动。
5、三极管放大电路基本原理是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的较大变化。三极管是一种具有放大电流功能的半导体基础元件,它是电子器件的重要组成部分。
6、以下用NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大 原理,发射区向基区扩散电子:由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子(自由电子)不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流IE。
三极管工作时为何温度升高对应的Ube减小
经测试,硅三极管发射结正向压降的变化量是每增加一度,Ube就变化 -5mV/°C,也就是说,随着温度的增加,Ube就线性减小。
温度升高,半导体中会有更多的束缚电子摆脱共价键,成为载流子,半导体的导电性能增加(也可以理解为电阻变小了),相同的电流通过,压降自然就小(u=ir)。
温度升高后,三极管的导通电压UBe会减小,随之而来的就是整条输入曲线左移,iB也会随之增大。在计算静态工作点时候可以明显看出来。
为什么温度升高时三极管的输入特性曲线会左移,而不是右移?
1、温度变化的规律与晶体管正向导通电压一样,所以输入特性曲线随温度升高向左移。
2、UBE随温度变化的规律与二极管正向导通电压一样,即:温度每升高1℃,UBE减小2~5mV。而IB基本不变,所以输入特性曲线随温度升高向左移。
3、温度升高后,三极管的导通电压UBe会减小,随之而来的就是整条输入曲线左移,iB也会随之增大。在计算静态工作点时候可以明显看出来。
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