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MOS管的工作原理
pn结的形成pn结的形成是在p型半导体与n型半导体之间在电场的作用下的扩散运动形成的势垒区（domain）。pn结的导电能力半导体中的电子必须从低能级跳到高能级，才能形成自由载流子（freecarrier）。
mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
在非门中,是不是说PMOS输出的是1,而NMOS输出的是0啊,我是这么认为的,求...
1、嗯。PMOS导通时，inverter输出为高电平；NMOS导通时，inverter输出为低电平。
2、性质如下：“门”是这样的一种电路：它规定各个输入信号之间满足某种逻辑关系时，才有信号输出，通常有下列三种门电路：与门、或门、非门（反相器）。
3、与非门是与门和非门的结合，先进行与运算，再进行非运算。与非门是当输入端中有1个或1个以上是低电平时，输出为高电平；只有所有输入是高电平时，输出才是低电平。
4、门电路一般有：与门、或门、非门、与非门、或非门等。
两个nmos串联有什么用
两个nmos串联相当于与门。与门电路：与门是两个或者两个以上输入端，一个输出端的器件，当一个输入端为0时，输出就是0，只有所有的输入端是1时，输出才是1。
简单解释一下吧，MOS管有三个脚，两个MOS管串联，一个开一个关是截止的，一个关一个通是截止的，连个关是截止的，只有两个同时开或者同事关才是导通的。
当然可以，不过用一个，它提供的电流会相对变小，发热量增大。
关于MOS管搭建门电路的问题。
mos管构成与门、或门、与非门和或非门如下图，从中可以看出，与门和或门由两级电路构成，且用的器件较多，即影响速度又降低集成度，所以用与非门和或非门多。
带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
静态功耗低，每门功耗为纳瓦级；逻辑摆幅大，近似等于电源电压。抗干扰能力强，直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右。
CMOS 门电路的输入阻抗很高，如果输入端悬空，它会像天线一样接收周围的噪声信号。这会使得CMOS门的输入信号处于不确定状态，可能导致门电路的输出结果不可预知。
管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。在开关电路中，MOSFET管可用来替代传统的电源开关，实现较高的效率和更小的损耗。
在晶体管的逻辑电平中,为什么NMOS提供强0弱1?怎么解释?求高人指点...
1、因栅源电压VGSVTN，若NMOS源端输出，则输出电压小于栅压，否则NMOS关闭了。
2、逻辑电平电压接近于电源电压，0 逻辑电平接近于 0V。而且具有很宽的噪声容限。
3、Pull - 当连接到晶体管栅极的内部信号被设置为高逻辑电平（逻辑1）时，NMOS晶体管被激活（闭合）并且电流开始从输出引脚流到GND。同时，PMOS晶体管无效（开路）且不导通电流。
4、联系：CMOS电路与TTL电路通过电平转换能使两者电平域值能匹配。两者区别如下：主体不同 TTL电路：是晶体管-晶体管逻辑电路。CMOS电路：是互补型金属氧化物半导体电路。
5、该图中左边的便是推挽输出模式，其中比较器输出高电平时下面的PNP三极管截止，而上面NPN三极管导通，输出电平VS+；当比较器输出低电平时则恰恰相反，PNP三极管导通，输出和地相连，为低电平。右边的则可以理解为开漏输出形式，需要接上拉。
6、反相器电路输出电压所代表的逻辑电平与输入相反。反相器可以仅用一个NMOS晶体管或一个PMOS连接一个电阻来构建。因为这种“阻性漏极”方式只需要使用一种类型的晶体管，其制造成本非常小。
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