栅源电压和栅极电压

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什么是漏源电压和栅源电压?

1、漏源电压：漏极和源极两端的电压。栅源电压：栅极和源极两端的电压。

2、漏源电压是指MOS管漏极和源极之间的电压差，当漏源电压加倍时，MOS管的输出电压也会加倍，漏源电压对MOS管的输出电压产生影响主要是因为漏源电压越高，MOS管的扭曲程度越大，输出电压也会越高。

3、栅源电压是指场效应管的栅极(G)与源极(S）之间的电压。

4、电压等级电压等级是确定MOSFET首要特性的因素，即漏源击穿电压（VDS）。VDS是在栅极短路到源极、漏极电流在250μA情况下，MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压。

(7). MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。 VMOS场效应管 VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。

MOS电路通常用于控制电子流，如在晶体管和集成电路中。

当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。

mos可以被击穿。mos集成电路是单极型集成电路，在mos集成电路的输入端具有一个特性，就是mos可以被击穿，要加一个输入保护电路，原理是利用二极管的反向击穿保护mos。

MOS管是一种场效应晶体管，它是由金属、氧化物和半导体材料组成的。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。

首先，文字要严谨（严谨是理工科专业人士必须具备的素质），这会使你的专业发展之路更顺畅：①场效应管有N沟和P沟两种类型，作为控制的栅源电压Vgs分别取两种极性，当然可正可负。

耗尽型：场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。

即增强型场效应管。耗尽型场效应管在不加栅源电压时漏极和源极为耗尽层不能导通，而且工作是栅源电压只能是正向的；增强型场效应管则可以导通，栅源电压可正可负。

栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。

虽然耗尽型MOS管在特定应用中有独特优势，可相比于增强型MOS管，它在广泛的电子电路设计中使用很少，有以下原因：常开状态：耗尽型MOS管在栅源电压UGS=0时形成导电沟道，它在没有外加电压控制的情况下是“常开”的。

为保证N沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即uGS0)，以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间加正向电压uDS，以形成漏极电流。

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