各位访客大家好!今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于pn接p区为什么带负电荷的问题,于是小编就整理了几个相关介绍的解答,让我们一起看看吧,希望对你有帮助
说明PN结形成的原理
N型半导体电子多,电子容易逃跑且原子核电荷太多,会形成正电荷。P(Positive)型半导体和N(Negative)型半导体构成PN结以后,会扩散出一个内电场,也叫PN结、阻挡层、耗尽层、空间电荷区。
PN结的形成:PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的,其接触界面称为冶金结界面。
PN结的形成原理基于半导体材料的电子结构和掺杂技术。当N型半导体与P型半导体相接触时,两者之间的自由电子和空穴会在结面上扩散并重新组合,形成一个电子云。
空间电荷区内,为什么正,负电荷的电量相等
因为物体带电量都是元电荷的整数倍。不分正负电荷,正负电荷都是5个,带电量都是5xe=5X6x10^-16库仑。
正电荷就是电子所带的电量,而负电荷是质子所带的电量。因为1个电子和1个质子所带的电量相同,但电性相反,所以就规定了一个正,一个负。
PN结的形成是因为P区的空穴和N区的电子汇合。这会导致P区失去空穴从而带负电,N区失去电子从而带正电,形成一个N指向P的电场,这个区域就是空间电荷区,也叫耗尽层。
电容器串联在电路中时每个电容器极板上带的电荷并不相等。
电子和空穴的结合会越来越慢,最后达到平衡,相当于载流子耗尽了,所以空间电荷区也叫耗尽层。这时PN结整体还呈电中性,因为空间电荷有正有负互相抵消。
电容器两极相当于断路,电源两极分别放出相等的电荷(参照化学电池,负极放出几个电子,正极就吸收几个电子,吸收电子相当于放出正电荷),故电容器两极电荷量相等。
二极管空间电荷区是空穴与电子,还是p与N离子?
1、电子和空穴构成的。空间电荷,在pn结中,电子和空穴带有相反的电荷,它们在扩散过程中要产生复合(中和),结果使P区和N区中原来的电中性被破坏。空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域。
2、在二极管的PN结中,P区和N区之间形成了空间电荷区,其中P区中的空穴和N区中的自由电子发生复合,形成了一个带电区域。当二极管加上正向电压时,P区的正电荷和N区的负电荷会被外加电场所吸引,从而使空间电荷区变窄。
3、在P区多数载流子是空穴,同时有少数载流子(就是电子)存在。N区情形相反。在外电场作用下,多子将向PN结移动,结果使空间电荷区变窄,内电场被削弱,有利于多子的扩散而不利于少子的漂移,扩散运动起主要作用。
4、N区;“电子型”半导体。原子外层电子比P型半导体多一个。P区;“空穴型”半导体。原子外层电子比N型半导体少一个。
5、结果,在P型和N型半导体交界面处形成空间电荷区,自建内电场ε内(从N区指向P区),如图1-6所示。
6、可以分为P型半导体和N型半导体。二极管有PN结,采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界处形成空间电荷区称之为PN结,PN结具有单向导电性。
关于pn结
1、PN结加正向电压时导通,如果电源的正极接P区,负极接N区,外加的正向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于正向偏置。
2、. PN结的形成 在一块本征半导体上通过某种掺杂工艺, 使其形成N型区和P型区两部分后, 在它们的交界处就形成了一个特殊薄层, 这就是PN结。
3、(2)接触后的,PN结两侧是带电荷的,只是P区一侧带负电,N区一侧带正电,而且两侧电荷量相等(因为电子空穴成对复合的),所以整体显电中性。带电荷的区域叫空间电荷区,能阻止进一步的复合,下面解释。
4、原因:由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下,内电场将会被削弱,使得阻挡层变窄,扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结,形成较大的扩散电流,称为正向电流。
5、你要从PN结的形成过程去理解。P区和N区刚组合的时候,由于两边载流子存在浓度差,因此N区的多子(电子)会往P区跑,P区的空穴也会跑到N区来。
6、PN结作用:正向特性:正向导性,即给PN结一个正向的电压它就导通,一般压降为0.3-0.7V。反向特性:可以做稳压管使用。即在反向电流允许的范围内,可以起到稳压的作用,稳压二极管就是这个原理。
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