朋友们，你们知道场效应管为什么会温漂这个问题吗？如果不了解该问题的话，小编将详细为你解答，希望对你有所帮助！
场效应管很烫手是不是有问题了?求解
1、烫手原因有，你购买的两个效应管的参数不同，最好买对管，放大倍数等参数相同才可以，还有就是在效应管和散热板之间接触不良，可以加云母片。
2、通常是场效应管的栅极所需电压和电流都是不足，造成管压降太大，就会发热厉害。建议在栅极和源极之间连接15V稳压管之后，大幅度提高驱动栅极的电压，就会大大改善功率管发热问题。
3、做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到场效应管，也就是人们常说的 MOS管 。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。接下来我们来了解 MOS管 发烫四大关键因素。
CMOS场效应管为什么在工作时会非常的热?该如何解决?
频率与导通损耗也成正比，所以功率管发热时，首先要想想是不是频率选择的有点高。想办法降低频率吧！不过要注意，当频率降低时，为了得到相同的负载能力，峰值电流必然要变大或者电感也变大，这都有可能导致电感进入饱和区域。
趋肤效应使导体的有效电阻增加。频率越高，趋肤效应越显著。当频率很高的电流通过导线时，可以认为电流只在导线表面上很薄的一层中流过，这等效于导线的截面减小，电阻增大。
如果XTR111的工作电压如图中所标是24V，那么就不应该出现BSP170P发热的问题，因为它的最大允许功耗是8W，远超过实际应用中可能出现的最大功耗24V×20mA=0.48W。
场效应管的D极连接到散热片上，主要是为了散热。因为漏极处的电压高，发热厉害。MOSFET的栅极很容易被静电击穿，栅极击穿之后，当然就不能控制源漏电流了。
场效应管热稳定性好的原因主要有以下几点： 栅极电荷：场效应管在饱和区工作时，栅极所积累的电荷量很大。这些电荷在栅极与沟道之间形成很强的电场，这有助于限制载流子的流动，并限制漏极电流的大小。
发射模块如果两个串联使用， 有一个晶体管是振荡发射，另一个是调幅调制，也就是数字调制。所以一个发热，一个正常。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
那些因素决定CPU的性能?
1、cpu的性能主要表现在程序执行速度的快慢，主频的高低是决定cpu性能优劣的重要因素之一。主频越高，执行一条指令的时间越少，运行程序的速度越快。
2、例如，内存和硬盘都会影响CPU的性能表现。内存越大，计算机就越能快速地处理大量数据。硬盘的速度和容量也会影响CPU的性能表现，因为CPU需要从硬盘中读取数据才能进行处理。
3、功耗和发热量：功耗和发热量是衡量CPU能耗的关键指标。高性能CPU通常需要更高的功耗和更大的散热装置，但过高的温度可能导致性能下降、部件老化等问题。 指令集：指令集是CPU执行指令的集合。
场效应管的原理
它的基本原理是利用半导体材料中的电场控制电流的流动。与双极型晶体管相比，场效应管具有输入电阻大、电流增益高、频率响应宽等优点，因此在电子电路中得到广泛应用。场效应管的基本原理 场效应管由栅极、漏极和源极组成。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称MOS场效应管。 (1)结构原理 它的结构、电极及符号见图3所示，以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。
MOS场效应管，即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。
各位小伙伴们，我刚刚为大家分享了有关场效应管为什么会温漂的知识，希望对你们有所帮助。如果您还有其他相关问题需要解决，欢迎随时提出哦！
